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表彰

2020年11月24日

令和2年度
卓越した技能者　茨城県知事表彰

件名

半導体チップ製造工

受賞者

  • 井口　憲幸 (NEC システムプラットフォーム研究所　主任)
  • *
    所属、役職は受賞当時のものです。

受賞日

2020年11月24日

表彰式会場

茨城県庁 9階 講堂

業績

長年にわたり集積電子デバイスの開発に従事し、固体電解質中での金属原子移動 を利用したナノブリッジの開発製造を行い、高度な製造加工技能でナノブリッジを使ったプログラマブルLSIの省電力化実証に貢献し、ナノブリッジの量産化や保守技能に対しても高度な管理手法を設定するなど安定した製造を実現した。また、広範な知識と技能を活かし、NECグループ内および共同研究先でも多くの技術者の指導育成に尽力している。

表彰状
表彰楯
井口さん

関連情報

表彰について

NECプレスリリース

論文等の文献

  1. M. Tada, T. Sakamoto, M. Miyamura, N. Banno, K. Okamoto, H. Hada and N. Iguchi, “Improved Off-state Reliability of Nonvolatile Resistive Switch with Low Programming Voltage”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 59, no. 9, pp.2357-2362, (2012).
  2. M. Tada, T. Sakamoto, N. Banno, K. Okamoto, N. Iguchi, H. Hada, and M. Miyamura, “Improved ON-state Reliability of Atom Switch Using Alloy Electrodes”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 60, no. 10, pp.3534-3540, (2013).
  3. T. Sakamoto, M. Tada, M. Miyamura, N. Banno, K. Okamoto, N. Iguchi, and H. Hada, “Impact of overshoot current on set operation of atom switch”, Jpn. J. Appl. Phys. vol. 53, 04ED07 (2014).
  4. N. Banno, K. Okamoto, H. Numata, N. Iguchi, M. Miyamura, R. Nebashi, X. Bai, H. Hada, T. Sugibayash, T. Sakamoto, and M. Tada, “3x Improved Set-voltage Variability with Split-electrode for Very Large Scale Integration” Jpn. J. Appl. Phys. 59, SGGB09 (2020).

表彰

  • 平成23年度科学技術分野の文部科学大臣表彰　創意工夫功労者賞（2011/04/18）

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